Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT de alta velocidad de conmutación, FGL60N100BNTD
Encapsulado TO-264 de 3 pines
Posee tecnología NPT
Voltaje de Colector a Emisor (CE) es 1000V
Voltaje de Gate a Emisor (GE) es 25V
Corriente continua de Colector es 60A
Potencia de disipación es 180W
Carga total de Gate es 275nC
Tiempo de retardo de apagado es 630ns
Tiempo de retardo de encendido es 140ns
Tiene incorporado diodo de recuperación rápida
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