Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, FDP18N50
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 30V
Corriente continua de Drain es 18A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 4.5V/ns
Potencia de disipación es 235W
Resistencia Drain a Source máxima es 0.265Ω
Carga total de Gate es 45nC
Tiempo de retardo de apagado es 95ns
Tiempo de retardo de encendido es 55ns
Tiempo de recuperación inversa es 500ns
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