Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutación rápida, FQP27P06
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es -60V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 25V
Corriente continua de Drain es -27A
Recuperación de diodo pico dv/dt es -7V/ns
Potencia de disipación es 120W
Resistencia Drain a Source máxima es 0.07Ω
Carga total de Gate es 33nC
Tiempo de retardo de apagado es 30ns
Tiempo de retardo de encendido es 18ns
Tiempo de recuperación inversa es 105ns
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