Transistor de potencia MOSFET canal N, IRF630
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 9A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 75W
Resistencia Drain a Source máxima es 350mΩ
Carga total de Gate es 31nC
Tiempo de retardo de encendido es 10ns
Tiempo de recuperación inversa es 170ns.
Documento:Información técnica 
